[发明专利]用于TMR磁传感器的底部引线化学机械平坦化在审
| 申请号： | 202080006396.4 | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113167844A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 周荣辉;毛明;姜明;郑元凯;钱震中;王勇鸿;胡志清 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 张全信 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种包括隧穿磁阻(TMR)传感器的惠斯通电桥阵列及一种制造方法。用于所述TMR传感器的底部引线不仅由于化学机械平坦化(CMP)并且还由于从多个层形成所述底部引线而因此具有极小表面粗糙度。所述多个层至少包含底部第一金属层及安置在所述第一金属层上的顶部第二金属层。所述第二金属层通常具有低于所述第一金属层的表面粗糙度。另外，所述第二金属层具有较慢抛光速率。因此，不仅所述第二金属层缩减了所述表面粗糙度，而且所述较慢抛光速率还使得能够将顶部第二金属膜抛光到小于或等于约2埃的非常精密的表面粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 tmr 传感器 底部 引线 化学 机械 平坦 | ||
【主权项】：
暂无信息
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