[发明专利]图像传感器及其制作方法、搭载图像传感器的成像装置在审
| 申请号： | 202080006505.2 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113169204A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 徐泽;肖琳;周雪梅 | 申请（专利权）人： | 深圳市大疆创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 深圳市力道知识产权代理事务所(普通合伙) 44507 | 代理人： | 贺小旺 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图像传感器，包括：半导体衬底，具有第一表面和第二表面；位于半导体衬底上的感光区；读出电路，连接感光区；其中，感光区包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区靠近第一表面设置，第二掺杂区中形成有朝向第一表面延伸的沟槽，沟槽的槽壁上具有半导体层。能够提高成像效果。还提供了图像传感器的制作方法和成像装置。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制作方法 搭载 成像 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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