[发明专利]溅射装置、薄膜制造方法有效

专利信息
申请号: 202080006532.X 申请日: 2020-03-24
公开(公告)号: CN113056573B 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: 阪上弘敏;大野哲宏 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;H05H1/46
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 闫小龙;姜冰
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 均匀地对溅射靶(14)进行溅射。在阴极电极(21)的单面配置有溅射靶(14),在相反的一侧的面平行地配置有多个磁铁装置(301、311~314、302)。在磁铁装置(301、311~314、302)的两端配置有可变磁场(47),所述可变磁场(47)具有将基础磁力部(71)形成的磁场和电磁铁部(73)形成的磁场合成后的磁场,通过控制在电磁铁部(73)中流动的励磁电流的朝向和大小,从而控制在电磁铁部(73)形成的磁极的极性和磁场强度,使可变磁铁(47)形成的磁场强度由于进行了溅射的成膜对象物(13)的增加而变小,从而使溅射面(24)上的磁场强度固定。
搜索关键词: 溅射 装置 薄膜 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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