[发明专利]具有包括两个自由层的一个TMR叠堆的磁传感器阵列在审
| 申请号： | 202080007007.X | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113196079A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 郑元凯;C·凯撒;刁治涛;胡志清;钱震中;王勇鸿;毛明;姜明 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开整体涉及包括TMR传感器的惠斯通电桥阵列及其制造方法。在该惠斯通电桥阵列中，存在四个不同的TMR传感器。这些TMR传感器全部同时制造，以产生具有合成反铁磁自由层作为顶层的四个相同的TMR传感器。这些合成反铁磁自由层包括第一磁性层、间隔层和第二磁性层。在形成该四个相同的TMR传感器之后，从两个TMR传感器移除该间隔层和该第二磁性层。在移除该间隔层和该第二磁性层之后，在现在暴露的该第一磁性层上形成新的磁性层，使得该新的磁性层具有与该间隔层和该第二磁性层的组合基本上相同的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包括 两个 自由 一个 tmr 传感器 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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