[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202080007024.3 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN113196500A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 合田健太;小田洋平;野中裕介 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在多个沟槽栅构造之间形成有体区域(3)，并且在体区域的一部分的表面部形成有第1杂质区域(4)。体区域具有第2导电型杂质浓度比该体区域高并且与上部电极(10)接触的第2导电型接触区域(3a)。第1杂质区域具有第1导电型杂质浓度比第1杂质区域高并且与上部电极接触的第1导电型接触区域(4a)。在体区域中的没有形成第1杂质区域的部分，没有形成第1导电型接触区域且形成有第2导电型接触区域，在第1杂质区域形成有接触沟槽(4b)，在接触沟槽内形成有第1导电型接触区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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