[发明专利]形成非对称厚度氧化物沟槽的方法在审
| 申请号： | 202080007135.4 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN114586134A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 路德-金·恩格文森;伊恩·德文尼;约翰·哈钦斯 | 申请（专利权）人： | 丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/336;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;但提提 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此描述了一种制造具有带有绝缘层的一个或多个沟槽的半导体器件的方法。使用以下步骤制造具有绝缘层的一个或多个沟槽：执行蚀刻过程以形成一个或多个沟槽；在一个或多个沟槽的下表面和侧壁上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上方沉积亲水层；在一个或多个沟槽中沉积光刻胶材料，其中沉积光刻胶材料包括暴露一个或多个沟槽的第一侧的上部区域上的亲水层；执行湿蚀刻过程以将一个或多个沟槽的第一侧的侧壁上的绝缘层蚀刻至光刻胶材料的表面下方的预定距离处；去除光刻胶材料；去除亲水层；并在进行湿蚀刻过程、去除光刻胶材料、以及去除亲水层之后，在一个或多个沟槽的第一侧的侧壁上形成第二绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 对称 厚度 氧化物 沟槽 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
