[发明专利]氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶在审
| 申请号： | 202080007374.X | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113348562A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 寺前裕美;西山功兵;越智元隆;后藤裕史 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/28;H01L21/363;H01L29/24;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本兵库县神户市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可获得应力耐受性优异的薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层分别包含作为金属元素的In、Ga、Zn及Sn、以及O，在第一氧化物半导体层中，满足0.05≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.20≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.20≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.15，在第二氧化物半导体层中，满足0.20≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.15≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.01≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.20。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜 薄膜晶体管 溅射 | ||
【主权项】：
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