[发明专利]半导体设备的缺陷分类和来源分析在审

专利信息
申请号: 202080008796.9 申请日: 2020-01-10
公开(公告)号: CN113302478A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 卡皮尔·索拉尼;理查德·A·戈奇奥;迈克尔·达内克;基思·威尔斯;基思·汉森 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: G01N21/95 分类号: G01N21/95;G01N21/88;G06N3/04;G06N3/08
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠;张华
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 可利用计算缺陷分析系统对包含电子组件的衬底上的缺陷进行分类,该计算缺陷分析系统可以多个阶段实现。例如,第一阶段分类引擎可处理计量数据以产生缺陷的初始分类。第二阶段分类引擎可利用该初始分类、以及制造信息和/或先验缺陷知识,以输出由一或更多个潜在来源造成缺陷的概率。
搜索关键词: 半导体设备 缺陷 分类 来源 分析
【主权项】:
暂无信息
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