[发明专利]集成电路金属离子扩散缺陷验证在审
| 申请号： | 202080010909.9 | 申请日： | 2020-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN113366620A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | M·T·麦克科麦;L·C·科杜斯二世;A·梅达 | 申请（专利权）人： | 微软技术许可有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡利鸣 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种验证集成电路芯片不易受导电金属离子扩散缺陷影响的方法。测试组件被施加到集成电路芯片的背面以形成测试组装件。测试组件包括用于促进导电金属离子的扩散的导电金属层和传输介质层。测试组装件在热激活温度下被加热。该集成电路芯片被计算机验证以确定该集成电路芯片是否具有导电金属离子扩散缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 金属 离子 扩散 缺陷 验证 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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