[发明专利]具有气隙的3维闪存及制造其的方法在审
| 申请号： | 202080010963.3 | 申请日： | 2020-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN113348556A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 宋润洽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/1157;H01L23/31;H01L21/311;H01L21/764 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种3维闪存及其制造方法，该3维闪存具有减轻在氧化物‑氮化物‑氧化物(ONO)层(其为电荷存储层)中在相邻单元之间的干扰的结构。根据一实施方式，3维闪存特征在于，包括：形成为在第一方向上延伸的至少一个沟道层；多个电极层，形成为在与第一方向垂直的第二方向上延伸，从而相对于所述至少一个沟道层垂直堆叠；多个气隙，插置在所述多个电极层之间以将所述多个电极层彼此分开；以及至少一个ONO层，包括第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，并且形成为在第一方向上延伸从而连接所述至少一个沟道层和所述多个电极层，其中3维闪存具有减轻在所述至少一个ONO层中在与所述多个电极层接触的单元之间的干扰的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 闪存 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
