[发明专利]扩片方法及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202080011743.2 | 申请日： | 2020-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN113366079A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 布施启示;稻男洋一;山田忠知 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | C09J201/00 | 分类号： | C09J201/00;H01L21/301;C09J7/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种扩片方法，该方法包括：在具有第1晶片面和第2晶片面的晶片的第2晶片面粘贴具有第1粘合剂层(12)和第1基材(11)的第1粘合片(10)，切入了深度50μm的切痕的第1基材(11)的拉伸伸长率为300％以上，从第1晶片面侧切入切痕，将晶片单片化为多个芯片(CP)，进一步将第1粘合片(10)的第1粘合剂层(12)切断，使第1粘合片(10)伸展，从而扩大多个芯片的间隔(CP)。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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