[发明专利]碳掺杂氧化硅的沉积在审
| 申请号： | 202080012410.1 | 申请日： | 2020-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN113383108A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 王美良;雷新建;H·钱德拉;M·R·麦克唐纳 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
用于将包含硅和氧的膜沉积到衬底上的方法包括(a)在反应器中提供衬底；(b)将至少一种选自本文所述的式A、B和C的硅前体化合物引入反应器中，(c)用吹扫气体吹扫反应器；(d)将含氧源和含氮源中的至少一种引入反应器中；和(e)用吹扫气体吹扫反应器，其中重复步骤b至e直到沉积所需厚度的所得含硅膜；以及(f)用R |
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| 搜索关键词： | 掺杂 氧化 沉积 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
