[发明专利]垂直薄膜晶体管以及作为用于三维存储器阵列的位线连接器的应用

摘要

存储器电路包含：(i)半导体衬底，其具有平面表面，所述半导体衬底具有形成于其中的用于存储器操作的电路系统；(ii)存储器阵列，其形成于所述平面表面上方，所述存储器阵列具有连接到所述存储器阵列中的存储器电路的一个或多个电极，导体各自沿着基本上平行于所述平面表面的方向延伸；以及(iii)一个或多个晶体管，每个晶体管在所述电极中的对应一个电极上方、沿着所述对应一个电极或在所述对应一个电极下方，但在所述半导体衬底的所述平面表面上方形成，每个晶体管(a)具有第一和第二漏极/源极区和栅极区，每一个由半导体材料形成，其中所述第一漏极/源极区、所述第二漏极/源极区或所述栅极区具有形成于其上的金属硅化物层；以及(b)选择性地将所述对应电极连接到用于存储器操作的所述电路系统。