[发明专利]半导体装置及半导体装置的工作方法在审
| 申请号： | 202080013870.6 | 申请日： | 2020-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN113424445A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 高桥圭;青木健 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H03K5/08 | 分类号： | H03K5/08;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/786;H03F1/00;H03F1/02;H03F3/68 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个方式提供一种新颖的比较电路、新颖的放大电路、新颖的电池控制电路、新颖的电池保护电路、蓄电装置、半导体装置及电器等。该半导体装置包括电容器、具有与电容器的第一电极电连接的第一输出端子的第一放大电路以及具有输入端子、第二输出端子、第一晶体管及第二晶体管的第二放大电路，电容器的第二电极与输入端子电连接，输入端子与第一晶体管的栅极及第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二输出端子电连接，第二晶体管具有向输入端子供应电位并保持该电位的功能，第二晶体管的沟道形成区域包括包含铟和镓中的至少一个的金属氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 工作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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