[发明专利]金通硅掩模电镀在审
| 申请号： | 202080014782.8 | 申请日： | 2020-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN113424309A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡利平;梁德福;雅各布·柯蒂斯·布利肯斯德弗;托马斯·A·蓬努斯瓦米;布莱恩·L·巴卡柳;史蒂文·T·迈耶 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C25D7/12;C25D17/00;C25D5/02;H01L21/288;H01L23/525 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于蚀刻辅助的金(Au)通硅掩模电镀(EAG‑TSM)的方法的系统和方法。示例性方法包括在衬底上提供籽晶层并且在衬底上的籽晶层的至少一部分上提供硅掩模。硅掩模包括一个或多个待用金填充的通孔。有掩模的衬底经受至少一个处理循环，每个处理循环包括镀金子步骤和蚀刻处理子步骤。重复循环直到达到选定的通孔填充厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 金通硅掩模 电镀 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
