[发明专利]具有可配置内部错误校正模式的存储器装置有效
| 申请号： | 202080014991.2 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN113454602B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | S·E·谢弗;A·P·贝姆 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案是针对具有可配置内部错误校正模式的存储器装置。举例来说，主机装置可指示存储器系统将使用一或多个通信(例如，消息)实施单错误校正双错误检测(SECDED)操作。在另一实例中，所述存储器系统可经硬连线以针对某些选项执行SECDED。所述存储器系统可调适与单错误校正(SEC)操作相关联的电路系统以在不明显地影响裸片大小的情况下实施SECDED操作。为了使用SEC电路系统实施SECDED操作，所述存储器系统可包含一些额外电路系统以改变所述SEC电路系统的用途以用于SECDED操作。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 配置 内部 错误 校正 模式 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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