[发明专利]用于发射辐射的半导体器件的生长结构和发射辐射的半导体器件在审
| 申请号： | 202080017652.X | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN113490996A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 安德里亚斯·科勒;贝恩德·迈尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/12;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 侯丽英;刘继富 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出一种用于发射辐射的半导体器件(10)的生长结构(1)，其包括：‑包含基于砷化物化合物半导体的材料的半导体衬底(2)，‑设置在所述半导体衬底(2)上且包含基于砷化物化合物半导体的材料的缓冲结构(3)，以及‑具有至少一个n掺杂层(5)的缓冲层(4)，其中所述n掺杂层(5)包含氧。此外，提出一种具有生长结构(1)的发射辐射的半导体器件(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发射 辐射 半导体器件 生长 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
