[发明专利]功率半导体装置在审
| 申请号： | 202080019736.7 | 申请日： | 2020-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN113614917A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 长崎仁德;加藤彻;平尾高志;田中信太朗 | 申请（专利权）人： | 日立安斯泰莫株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 邓晔;宋俊寅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体装置及其制造方法，该功率半导体装置包括：具有第1功率半导体元件的第1子模块；具有第2功率半导体元件的第2子模块；正极侧导体部和负极侧导体部；形成将第1子模块夹在中间而与负极侧导体部相对的负极侧相对部、和将第2子模块夹在中间而与正极侧导体部相对的正极侧相对部的中间基板；通过传输信号来控制第1功率半导体元件或第2功率半导体元件的多个信号端子，第2子模块以使第2功率半导体元件的电极面与第1功率半导体元件的电极面的朝向反转的方式配置，在第2子模块的高度方向上且被夹在该第2子模块的一部分和中间基板之间的空间中配置信号中继导体部，中间基板具有与信号中继导体部连接且与信号端子电连接的布线。由此，在抑制主电路电感增大的同时，提高功率半导体装置的生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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