[发明专利]雪崩光电探测器(变型)及其制造方法(变型)在审

专利信息
申请号: 202080020508.1 申请日: 2020-03-04
公开(公告)号: CN113574681A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 尼古拉·阿法纳塞维奇·科洛博夫;康斯坦丁·尤列维奇·西塔斯基;维塔利·埃马努伊洛维奇·舒宾;德米特里·阿列克谢耶维奇·舒沙科夫;谢尔盖·维塔利维奇·博格达诺夫 申请(专利权)人: 蒂凡有限责任公司
主分类号: H01L31/107 分类号: H01L31/107;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 孙尚白
地址: 俄罗斯联*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及雪崩光电探测器(APD),该APD能够记录微弱光信号,并且能够用于LiDAR、通信系统、机器视觉、机器人、医学、生物学、环境监测等。要求保护的APD包括晶片,该晶片承载将要检测的光信号转换为自由电荷载流子电流的光电转换器和该电流的至少一个雪崩放大器,放大器包括两层‑‑接触层和倍增层,其中倍增层形成在整个导电晶片上。至少一个雪崩放大器的接触层形成在倍增层的某一区域中,同时在接触层外部,倍增层作为光电转换器起作用。因此,已由光电转换器引发的光载流子将不受阻碍、高效地进入雪崩放大器的倍增区,这使仪器具有更高的阈值灵敏度。具有从晶片渗出的较少暗电流并抑制来自相邻雪崩放大器的光电通信噪声的光电探测器的变型使得制造多通道雪崩仪器成为可能,该多通道雪崩仪器的阈值灵敏度是常规APD的阈值灵敏度的数倍,尤其是在过度背景照明的情况下,过度背景照明是车载LiDAR的典型情况。
搜索关键词: 雪崩 光电 探测器 变型 及其 制造 方法
【主权项】:
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