[发明专利]雪崩光电探测器(变型)及其制造方法(变型)在审
申请号: | 202080020508.1 | 申请日: | 2020-03-04 |
公开(公告)号: | CN113574681A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 尼古拉·阿法纳塞维奇·科洛博夫;康斯坦丁·尤列维奇·西塔斯基;维塔利·埃马努伊洛维奇·舒宾;德米特里·阿列克谢耶维奇·舒沙科夫;谢尔盖·维塔利维奇·博格达诺夫 | 申请(专利权)人: | 蒂凡有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 孙尚白 |
地址: | 俄罗斯联*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及雪崩光电探测器(APD),该APD能够记录微弱光信号,并且能够用于LiDAR、通信系统、机器视觉、机器人、医学、生物学、环境监测等。要求保护的APD包括晶片,该晶片承载将要检测的光信号转换为自由电荷载流子电流的光电转换器和该电流的至少一个雪崩放大器,放大器包括两层‑‑接触层和倍增层,其中倍增层形成在整个导电晶片上。至少一个雪崩放大器的接触层形成在倍增层的某一区域中,同时在接触层外部,倍增层作为光电转换器起作用。因此,已由光电转换器引发的光载流子将不受阻碍、高效地进入雪崩放大器的倍增区,这使仪器具有更高的阈值灵敏度。具有从晶片渗出的较少暗电流并抑制来自相邻雪崩放大器的光电通信噪声的光电探测器的变型使得制造多通道雪崩仪器成为可能,该多通道雪崩仪器的阈值灵敏度是常规APD的阈值灵敏度的数倍,尤其是在过度背景照明的情况下,过度背景照明是车载LiDAR的典型情况。 | ||
搜索关键词: | 雪崩 光电 探测器 变型 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的