[发明专利]用于成像应用的光电探测器在审
| 申请号： | 202080020773.X | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113574672A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | A·库马尔 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 孟杰雄 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种用于医学成像应用，具体地用于计算机断层摄影应用的光电探测器(100)。光电探测器(100)包括具有多个光电二极管(110)的光电二极管阵列(100a)。每个都具有包括非晶态材料的主体敏感区域(111)和在光电二极管(110)的光刻限定的边缘(112)处的外围(112)。光电探测器(100)还包括直接位于光电二极管(110)的主体敏感区域(111)的外围(112)处的金属偏置线(132)。提供电荷俘获抑制单元(130、140)，其被配置为抑制电荷在光电二极管的边缘(112)处的俘获。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 成像 应用 光电 探测器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
