[发明专利]用于蚀刻反应器的涡轮分子泵和阴极组件在审
| 申请号： | 202080021549.2 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN113574649A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 索斯藤·利尔;马里施·格雷戈尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;F04D19/04;H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种蚀刻半导体衬底的处理室和方法。该处理室是对称的，其中用于保持半导体衬底的台架的卡盘和杆部的中心线与位于泵的芯部中的通道的中心线以及与气体端口的中心线对准，该泵用于将处理室抽气，而气体通过该气体端口而被引导至处理室。杆部延伸穿过通道，且螺旋沟槽被形成在通道中且仅形成在杆部或芯部的内表面中的一者中，以提供泵抽作用，以抵销气体在介于杆部与芯部之间的间隙内以中间且粘性流动的状态从泵的排气口进行的回流。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 反应器 涡轮 分子 阴极 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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