[发明专利]中介层、包含中介层的微电子装置组件和制造方法在审
| 申请号： | 202080022022.1 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113574662A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | C·H·育;O·R·费伊 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/522;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 彭晓文 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种中介层、包含所述中介层的电子装置组件和制造方法。一种中介层包括半导体材料，并且包含在所述中介层上用于主机装置的位置下方的高速缓冲存储器。存储器接口电路系统还可以位于所述中介层上用于存储器装置的一或多个位置下方。还公开了并入有此类中介层且包括主机装置和多个存储器装置的微电子装置组件，以及制造此类微电子装置组件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 中介 包含 微电子 装置 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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