[发明专利]掩模坯料、转印用掩模的制造方法、及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202080022142.1 | 申请日： | 2020-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN113614637A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 宍户博明;大久保亮;野泽顺 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/26 | 分类号： | G03F1/26;G03F1/32;G03F1/38;G03F1/50;G03F1/54;G03F1/80;G01N23/2273 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于，提供能够使掩模图案、硬掩模图案进一步微细化、以及能够提高图案品质的掩模坯料，为了解决该课题，本发明的掩模坯料(100)具备在透光性基板(1)上依次层叠有图案形成用薄膜(3)和硬掩模膜(4)的结构，该掩模坯料(100)如下所述地构成：上述硬掩模膜(4)的通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的Si2p窄谱在103eV以上的键能具有最大峰，通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的N1s窄谱的最大峰为检测下限值以下，硅与氧的含有比率(原子％)Si:O小于1:2。 | ||
| 搜索关键词： | 坯料 转印用掩模 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
