[发明专利]RF半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202080022825.7 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN113661566A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 朱利奥·C·科斯塔;迈克尔·卡罗尔 | 申请（专利权）人： | QORVO美国公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L23/16;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 杜升 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种射频装置，所述射频装置包含传递装置管芯和位于所述传递装置管芯之下的多层重新分布结构。所述传递装置管芯包含装置区域和传递衬底，所述装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于所述BEOL部分之上的前段制程(FEOL)部分。所述FEOL部分包含隔离区段和有源层，所述有源层被所述隔离区段围绕。所述装置区域的顶表面是平坦化的。包含多孔硅(PSi)区域的所述传递衬底位于所述装置区域的所述顶表面之上。在本文中，所述PSi区域的孔隙度为1％至80％。所述多层重新分布结构包含多个凸起结构，所述多个凸起结构位于所述多层重新分布结构的底部处并且电耦接到所述传递装置管芯的所述FEOL部分。 | ||
| 搜索关键词： | rf 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于QORVO美国公司，未经QORVO美国公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080022825.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：机器人拥塞管理
- 下一篇：在胃条件下显示相分离的营养组合物及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
