[发明专利]使用多线图案化的衬底加工方法在审
| 申请号： | 202080025316.X | 申请日： | 2020-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113646875A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 高明辉 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/3065;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李德山;姚文杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法包括提供衬底，该衬底包括由第一材料制成并且定位于下层上的芯棒。这些芯棒中的每一个包括第一侧壁和相反的第二侧壁。该方法进一步包括形成侧壁间隔物，这些侧壁间隔物由第二材料制成并且包括邻接每个相应的第一侧壁的第一侧壁间隔物和邻接每个相应的第二侧壁的第二侧壁间隔物。这些芯棒在这些侧壁间隔物的顶表面上方延伸。该方法还包括：通过在这些第一侧壁间隔物上沉积第三材料而不沉积在这些第二侧壁间隔物上，形成第一加盖侧壁间隔物；通过在这些第二侧壁间隔物上沉积第四材料而不沉积在这些第一侧壁间隔物上，形成第二加盖侧壁间隔物；以及选择性地去除该第一材料、该第二材料、该第三材料和该第四材料中的至少一者，以显露出该下层的暴露部分。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 线图 衬底 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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