[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202080025962.6 | 申请日： | 2020-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113646839A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 斋藤圣矢;八窪裕人;大贯达也;长塚修平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C7/06;G11C11/4091;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括具有将硅衬底用于沟道的多个晶体管的驱动电路以及具有将金属氧化物用于沟道的多个晶体管的第一晶体管层及第二晶体管层。第一晶体管层及第二晶体管层设置在硅衬底上。第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元。第一晶体管与第一局部位线电连接。第二晶体管层包括其栅极与第一局部位线电连接的第二晶体管及与第二晶体管电连接的第一校正电路。第一校正电路与第一全局位线电连接。第一校正电路具有使第二晶体管的栅极保持对应于第二晶体管的阈值电压的电压的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080025962.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：通过聚苯乙烯解聚得到的苯乙烯聚合物的组合物
- 下一篇：电喷雾探针
