[发明专利]发光二极管芯片级封装及其制造方法在审
| 申请号： | 202080026701.6 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113661579A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 闵在植;李在晔;朴宰奭;赵炳求 | 申请（专利权）人： | 莱太柘晶电株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 郑乐;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及发光二极管芯片级封装及其制造方法，所述发光二极管芯片级封装由一面形成有与外部对象电连接的焊盘的发光二极管芯片、包覆发光二极管芯片但向外部露出焊盘的结合面的荧光硅胶膜、以及与结合面连接且扩张焊盘的表面积的金属层构成。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 二极管 芯片级 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于莱太柘晶电株式会社，未经莱太柘晶电株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080026701.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电极和包括所述电极的二次电池
- 下一篇：引入靶特异性外源基因的方法
