[发明专利]钴基合金材料和钴基合金制造物有效
| 申请号： | 202080026864.4 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN114466944B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王玉艇;今野晋也;太田敦夫 | 申请（专利权）人： | 三菱重工业株式会社 |
| 主分类号： | C22C19/07 | 分类号： | C22C19/07;C22C30/00;B22F5/00;B22F10/28;B22F10/64;B33Y10/00;B33Y40/20;B33Y70/00;B33Y80/00;F01D9/02;F01D25/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;胡玉美 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及的Co基合金制造物的特征在于，具有如下的化学组成：以质量％计含有0.08～0.25％的C和0.003～0.2％的N且C和N的合计为0.083～0.28％，含有0.1％以下的B和10～30％的Cr，含有5％以下的Fe和30％以下的Ni且Fe和Ni的合计为30％以下，含有W和/或Mo且W和Mo的合计为5～12％，含有Al和/或Si且Al和Si中的至少一种超过0.5％且为3％以下并且Al和Si的合计超过0.5％且为4％以下，含有0.5％以下的Mn，含有0.5～4％的除W和Mo以外的过渡金属且原子半径超过130pm的M成分，余量由Co和杂质构成；上述制造物是母相晶粒的多晶体，上述母相晶粒内形成有平均尺寸为0.13～2μm且由上述M成分在边界区域偏析而成的偏析晶胞，或者，形成有平均尺寸为0.13～2μm的后偏析晶胞，含有上述M成分的MC型碳化物相、M(C,N)型碳氮化物相和/或MN型氮化物相的粒子在该后偏析晶胞的边界分散析出。 | ||
| 搜索关键词： | 合金材料 合金 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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