[发明专利]包含羟基芳基末端的聚合物的药液耐性保护膜形成用组合物在审
申请号: | 202080027542.1 | 申请日: | 2020-04-09 |
公开(公告)号: | CN113646352A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 小田切薰敬;西田登喜雄;远藤贵文;远藤勇树;岸冈高广 | 申请(专利权)人: | 日产化学株式会社 |
主分类号: | C08G59/14 | 分类号: | C08G59/14;C08G59/26;G03F7/11;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 马妮楠;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供下述保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法,上述保护膜形成用组合物具有在半导体基板加工时对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度,进一步对高低差基板也被覆性良好,埋入后的膜厚差小,能够形成平坦的膜。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物,其中,二环氧化合物(B)与2官能以上的产质子化合物(C)的反应生成物(P)包含下述式(1):(在式(1)中,Ar表示碳原子数6~40的芳基,n表示2~10的整数,‑Y‑表示‑OCO‑、‑O‑或‑S‑,*表示与上述反应生成物(P)分子末端的结合部分)所示的结构,上述保护膜形成用组合物还包含有机溶剂(S)。*‑Y‑Ar‑(OH) |
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搜索关键词: | 包含 羟基 末端 聚合物 药液 耐性 保护膜 形成 组合 | ||
【主权项】:
暂无信息
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