[发明专利]用于EUV光刻的表膜在审
| 申请号： | 202080027740.8 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113646697A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | A·沙菲科夫;F·毕爵柯克;B·斯科林克;J·M·斯特姆;R·W·E·范德克鲁伊爵斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 胡良均 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于制造用于EVU光刻的表膜的方法，所述方法包括：将牺牲层沉积到衬底上；蚀刻掉所述衬底的部分，以暴露所述牺牲层的部分；将芯层沉积到所述牺牲层上，所述芯层在制造后形成所述表膜的隔膜的芯部分；以及蚀刻掉所述牺牲层的部分，以暴露所述芯层的部分；其中所述芯层在所述衬底的所述蚀刻之后被沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 euv 光刻 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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