[发明专利]气相成长装置及用于该气相成长装置的载具在审
| 申请号： | 202080028086.2 | 申请日： | 2020-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113711336A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 和田直之;南出由生 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/683;H01L21/673;C23C16/44;C23C16/458 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 载具(C)形成为具有载置于基座(112)的上表面的底面(C11)、接触晶圆(WF)的背面的外边缘来支承的上表面(C12)、外周侧壁面(C13)、内周侧壁面(C14)的环状，在基座(112)、或基座(112)及载具(C)处，设置有将被晶圆(WF)、载具(C)及基座(112)间隔的空间和基座(112)的背面之间贯通的气体排出孔(1121，1122，C15)。 | ||
| 搜索关键词： | 相成 装置 用于 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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