[发明专利]反射型掩模坯料、反射型掩模、以及反射型掩模及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202080031051.4 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN113767332A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 中川真德;笑喜勉 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24;G03F1/54 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供用于制造能够在包含氢气的气体氛围中进行了EUV曝光的情况下抑制吸收体图案剥离的反射型掩模的反射型掩模坯料。所述反射型掩模坯料具备基板、基板上的多层反射膜、以及多层反射膜上的吸收体膜，上述吸收体膜包含吸收层及反射率调整层，上述吸收层含有钽(Ta)、硼(B)及氮(N)，并且含有选自氢(H)及氘(D)中的至少1种添加元素，上述吸收层的上述硼(B)的含量超过5原子％，上述吸收层的上述添加元素的含量为0.1原子％以上且30原子％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 型掩模 坯料 以及 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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