[发明专利]光刻装置和照射均匀性校正系统在审
| 申请号： | 202080031372.4 | 申请日： | 2020-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113728277A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | J·纳斯;K·K·南卡拉;T·R·唐尼;J·H·莱昂斯;O·昂鲁希萨西克利;A·H·勒德贝特;N·S·阿蓬;T·甘 | 申请（专利权）人： | ASML控股股份有限公司;ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 赵林琳 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用以调节光刻装置中的束的交叉狭槽照射的照射调节装置包括多个指状物来调节交叉狭槽照射以符合选定的强度分布。每个指状物具有包括至少两个段的远端边缘。两个段形成远端边缘的凹痕。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 装置 照射 均匀 校正 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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