[发明专利]具有栅极电流重用的氮化镓激光二极管驱动场效晶体管在审
| 申请号： | 202080032163.1 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113785492A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | M·查普曼;R·阿南斯;李剑锋 | 申请（专利权）人： | 宜普电源转换公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/00;H03K17/51;H03K17/56 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 赵楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于光雷达应用的激光二极管驱动器，其具有包含两个增强模式GaN FET的输出级。输出级包括传统公共源极配置中的驱动器GaN FET，具有与激光二极管的阴极连接的漏极、及连接至接地的源极。驱动器GaN FET的栅极系通过源极跟随器配置中的第二、实质更小GaN FET的源极来驱动，而不是直接通过预驱动器来驱动。源极跟随器GaN FET的漏极连接至公共源极驱动器GaN FET的漏极，类似于双载子装置中使用的达灵顿(Darlington)连接。于源极跟随器GaN FET的栅极施加来自预驱动器的输入驱动信号。藉此，透过激光二极管从主电力供应器汲取接通驱动器GaN FET所需的电流，而不是从用于预驱动器的电力供应器汲取，使总体电流效率提升。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 电流 重用 氮化 激光二极管 驱动 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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