[发明专利]氮化物半导体衬底及其制造方法在审
| 申请号： | 202080035782.6 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN113874559A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 高见泽彰一 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/265;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | [问题]当在硅单晶衬底上外延生长氮化物半导体层时，归因于晶格失配及热膨胀系数的差异而发生畸变，且发生大的翘曲及裂纹，这妨碍了装置生产。另一个问题是无法获得具有良好结晶度的氮化物半导体。[解决方案]归因于在将氮化物半导体外延生长到硅单晶衬底上期间产生的晶格失配的畸变及归因于在外延生长氮化物半导体之后的冷却过程期间发生的所述热膨胀系数的差异的热畸变不仅通过所述氮化物半导体中的缓冲层来减轻，而且还通过在所述硅单晶衬底中平行于其表面形成的错配位错层来减轻。这达成具有极好结晶度的氮化物半导体衬底，而不会发生裂纹或大的翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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