[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202080036268.4 申请日: 2020-06-26
公开(公告)号: CN113892181A 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 宫崎俊彦;川原雄基;铃木毅;饭岛匡 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/552;H01L25/18;H04N5/357;H04N5/374
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 王新春;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种具有由多个基板构成的多层结构的半导体装置,其中:能够抑制上侧基板和下侧基板上形成的元件之间的噪声或热的传播;并且也能够抑制所述元件的特性劣化。该半导体装置设置有:第一基板,其包括包含第一有源元件的第一元件层、布置在所述第一元件层上的第一配线层和布置在所述第一配线层上且包含导电材料的屏蔽层;以及第二基板,其包括布置在所述屏蔽层上且包含第二有源元件的第二元件层和布置在所述第二元件层上的第二配线层。所述第一基板和所述第二基板彼此层叠。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202080036268.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top