[发明专利]用于处理具有松弛正弯的碳化硅晶片的方法有效
| 申请号： | 202080036469.4 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN113825602B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 西蒙·布贝尔;马修·多诺弗里奥;约翰·埃德蒙;伊恩·柯里尔 | 申请（专利权）人： | 沃孚半导体公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;B28D5/04;B23K26/38;B23K26/53 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张晓影 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了碳化硅(SiC)晶片(8A)和相关方法，其包括配置以减少与由于重力或先前存在的结晶应力所造成的这些晶片(8A)的变形、弯曲或下垂有关的生产问题的故意或强加的晶片(8A)形状。故意或强加的晶片(8A)形状可以包括具有相对于其硅面的松弛正弯的SiC晶片(8A)。以这种方式，可以降低与SiC晶片(8A)，并且具体地大面积SiC晶片(8A)的变形、弯曲或下垂有关的影响。公开了用于提供具有松弛正弯的SiC晶片(8A)的相关方法，所述方法提供了减小的块状晶体材料(70、90、92A、92)的切割损失。这些方法可以包括SiC(6H)晶片(8A)与块状晶体材料(70、90、92A、92)的激光辅助分离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 具有 松弛 碳化硅 晶片 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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