[发明专利]InP量子点前体的制造方法和InP系量子点的制造方法在审
| 申请号： | 202080038903.2 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113905980A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 中对一博;续石大气;坂上知 | 申请（专利权）人： | 日本化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;C01B25/08;C09K11/08;C09K11/70;C09K11/71;C09K11/74;C09K11/75;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;邸万杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明为InP量子点前体的制造方法，是从磷源和铟源制造InP量子点前体的方法，其中，作为磷源，使用下述式(2)所示的化合物的含量为0.3摩尔％以下的下述式(1)所示的硅烷基膦化合物。并且，本发明还提供InP系量子点的制造方法，其中，将InP量子点前体以200℃以上350℃以下的温度进行加热，得到InP量子点。(R的定义参照说明书。) |
||
| 搜索关键词： | inp 量子 点前体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本化学工业株式会社，未经日本化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080038903.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
