[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202080038918.9 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN113892184A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 吉田浩介;吉村尚;泷下博;内田美佐稀;根本道生;菅沼奈央;洼内源宜 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L27/088;H01L27/06;H01L21/8234;H01L21/265;H01L21/331;H01L21/329;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包跃华;周春燕 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含氧；氢化学浓度的第一峰，其配置在半导体基板的下表面侧；以及平坦部，其配置于比第一峰更靠半导体基板的上表面侧的位置，并包含氢施主，且在半导体基板的深度方向上的施主浓度分布实质上(大致)为平坦，表示氧的氧化学浓度中有助于生成氢施主的氧化学浓度的比例的氧贡献率为1×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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