[发明专利]太阳能电池和太阳能电池的制造方法在审
| 申请号： | 202080039318.4 | 申请日： | 2020-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN113875025A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 斯坦格尔罗尔夫;孟思威;林志鹏;黄信仁;林棻 | 申请（专利权）人： | 新加坡国立大学 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京智造力知识产权代理有限公司 32382 | 代理人： | 汪丽红;徐波 |
| 地址： | 新加坡新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了一种太阳能电池。在实施例中，太阳能电池(100)包括具有用来接收入射光的正面(104)和背面(106)的硅晶片(102)，以及形成在硅晶片(102)正面(104)或背面(106)上的第一掺杂半导体层(110)。太阳能电池(100)还包括(i)沉积在与形成第一掺杂半导体层(110)相对的硅晶片(102)另一面上的隧道电介质层(112)，(ii)沉积在硅晶片(102)正面(104)上的正面第二掺杂半导体层(116)；(iii)沉积在硅晶片(102)背面(106)上的背面第二掺杂半导体层(118)，正面第二掺杂半导体层(116)和背面第二掺杂半导体层(118)具有与第一掺杂半导体层(110)相反的极性。第一掺杂半导体层(110)与正面第二掺杂半导体层(116)或背面第二掺杂半导体层(118)形成隧道结。隧道电介质层(112)与背面第二掺杂半导体层(118)或正面第二掺杂半导体层(116)形成钝化接触。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
