[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202080041236.3 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113906679A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 高桥直树 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/0812 | 分类号： | H03K17/0812;H03K17/08;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 曾贤伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具备：并列连接的绝缘栅极型的第一、第二晶体管；充放电部；以及栅极电压补偿电路。上述充放电部构成为进行以下控制：使上述第一、第二晶体管的两栅极充电的第一控制；使上述第一、第二晶体管的两栅极放电的第二控制；以及仅使上述第一、第二晶体管的单方的栅极放电的第三控制。在上述第一控制时、上述第二控制时、以及将上述第一、第二晶体管强制性地断开的保护动作时的至少一个中，上述栅极电压补偿电路以消除上述第一晶体管的栅极电压与上述第二晶体管的栅极电压的差的方式，对上述第一、第二晶体管各自的栅极电压进行补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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