[发明专利]辐射传感器元件及方法在审
| 申请号： | 202080044059.4 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113994469A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 安蒂·哈拉希尔图奈恩;尤哈·海诺宁;米科·云图宁;基娅拉·莫达内斯;托尼·帕萨宁;H·萨维恩;维莱·瓦哈尼西 | 申请（专利权）人： | 埃尔费斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/0236;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 孟媛;李维凤 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种辐射传感器元件(100)，包括：半导体衬底(101)，所述半导体衬底具有：主体折射率；前表面(102)；基本上沿基准平面(104)延伸的后表面(103)；以及多个像素部分(110)。每个像素部分(111，112)包括在后表面(103)上的收集区域(120)以及在前表面(102)上的纹理化区域(130)。纹理化区域(130)包括高深宽比纳米结构(135)，高深宽比纳米结构基本上沿垂直于基准平面(104)的厚度方向延伸并且形成光转换层(136)，光转换层具有向主体折射率逐渐变化的有效折射率，以减少从半导体衬底(101)的前侧入射到所述像素部分上的光的反射。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 传感器 元件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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