[发明专利]各向异性的外延生长在审
| 申请号： | 202080045902.0 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN114072544A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 秦嘉政;阿布舍克·杜贝;黄奕樵;索拉布·乔普拉 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/06;C30B29/08;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通常，本文中描述的实例涉及用于在硅锗(SiGe)表面上各向异性地外延地生长材料的方法和半导体处理系统。在一个实例中，在基板上形成硅锗表面。外延硅锗外延地生长在硅锗表面上。外延硅锗的第一生长率沿着垂直于硅锗表面的第一方向，并且外延硅锗的第二生长率沿着垂直于第一方向的第二方向。第一生长率大于第二生长率至少5倍。 | ||
| 搜索关键词： | 各向异性 外延 生长 | ||
【主权项】：
暂无信息
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