[发明专利]水平反或型存储器串的三维阵列制程有效
| 申请号： | 202080046048.X | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN114026676B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 维诺德·普拉亚;武仪·亨利·简 | 申请（专利权）人： | 日升存储公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此所提供的一种高效率的水平反或(HNOR)阵列的制造方法中，HNOR阵列中存储晶体管的通道区域从沉积形成之后，直到形成局部字线前的随后沉积电荷捕捉材料的步骤前，均受到一保护层保护。通道区域的硅及保护材料均先以非晶型沉积，而后以一退火步骤进行结晶化。保护材料可以是硼化硅、碳化硅或锗化硅。保护材料可以在通道区域的结晶硅引起较大的晶粒边界，借以提供较大的电荷载子迁移率、较大的导电率及较大的电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 存储器 三维 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
