[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体加工用层叠体在审
| 申请号： | 202080048374.4 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN114097073A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 今智范 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C09J133/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的目的在于提供能够抑制临时固定带与半导体加工用粘合带的界面处的剥离，良好地进行半导体封装的拾取的半导体装置的制造方法、以及半导体加工用层叠体。本发明的半导体装置的制造方法具有如下的工序(3)：在将贴附有半导体加工用粘合带的半导体封装以上述半导体加工用粘合带侧进行接触的方式层叠于临时固定带上且在贴附有上述半导体加工用粘合带的半导体封装的背面和侧面形成有金属膜的半导体加工用层叠体中，从上述半导体加工用粘合带拾取在背面和侧面形成有金属膜的半导体封装，在上述工序(3)中，在加热至满足下述式(1)的温度T |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 工用 层叠 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
