[发明专利]具有集成功率晶体管和启动电路的III-V族半导体器件

摘要

公开了一种基于III族氮化物半导体的异质结功率器件，包括：形成在衬底(4)上的第一异质结晶体管和形成在衬底上的第二异质结晶体管。第一异质结晶体管包括：第一III族氮化物半导体区，形成在衬底之上，其中，该第一III族氮化物半导体区包括第一异质结，该第一异质结包括至少一个二维载流子气；第一端子(8)，操作性地连接到第一III族氮化物半导体区；第二端子(9)，与第一端子横向间隔开并且操作性地连接到第一III族氮化物半导体区；以及第一栅极区(10)，在第一端子与第二端子之间的第一III族氮化物半导体区之上。第二异质结晶体管包括：第二III族氮化物半导体区，形成在衬底之上，其中，该第二III族氮化物半导体区包括第二异质结，该第二异质结包括至少一个二维载流子气；第三端子(19)，操作性地连接到第二III族氮化物半导体区；第四端子(16)，在第一维度上与第三端子横向间隔开并且操作性地连接到第二III族氮化物半导体区；第一导电类型的第一多个高掺杂半导体区(18)，形成在第二III族氮化物半导体区之上，该第一多个高掺杂半导体区形成在第三端子与第四端子之间；以及第二栅极区(17)，操作性地连接到第一多个高掺杂半导体区。第一异质结晶体管和第二异质结晶体管中的一个是增强型场效应晶体管，而第一异质结晶体管和第二异质结晶体管中的另一个是耗尽型场效应晶体管。