[发明专利]具有介电层的半导体结构元件在审
| 申请号： | 202080049174.0 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN114080697A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | T·沙里;J·托马斯科;D·蒙泰罗迪尼斯雷斯;D·潘特尔;F·沙茨;M·梅夫斯 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;H01L41/08;H01L41/316 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种半导体结构元件(200)，所述半导体结构元件包括至少一个介电层(230)以及至少一个第一电极(202)和第二电极(201)。附加地，在所述介电层(230)中存在至少两种彼此不同的缺陷类型(212，215，217)。所述至少两种彼此不同的缺陷类型(212，215，217)根据在所述第一电极(202)与所述第二电极(201)之间施加的运行电压和当前的运行温度沿着分别具有平均有效间距a |
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| 搜索关键词： | 具有 介电层 半导体 结构 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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