[发明专利]柱状半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202080050298.0 申请日: 2020-03-19
公开(公告)号: CN114127917A 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 原田望 申请(专利权)人: 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司
主分类号: H01L21/8244 分类号: H01L21/8244;H01L27/11
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 新加坡新加坡17909*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 覆盖Si柱(6b、6e)的顶部整体,而且于俯视观察时与Si柱(6b、6e)自行对准地形成等宽地包围Si柱(6b、6e)的P+层(32b、32e),另外,在P+层(32b、32e)上形成W层(33b、33e),另外,形成与W层33b、33e)各自的一部分区域相接且朝Y方向延伸的带状接触孔(C3),且以填埋带状接触孔(C)的方式形成电源配线金属层Vdd)。于俯视观察时,W层(33b、33e)的一部分区域呈现出朝带状接触孔的外侧突出的形状。
搜索关键词: 柱状 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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