[发明专利]高电流离子植入器以及使用高电流离子植入器控制离子束的方法在审
| 申请号： | 202080050339.6 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN114097058A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·利坎斯奇;常胜武;法兰克·辛克莱;安东尼勒·可雀帝;艾立克·D·赫尔曼森;克里斯多夫·坎贝尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/12 | 分类号： | H01J37/12;H01J37/317;H01J37/05 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国加州圣塔克拉尔,鲍尔斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供用于增加静电透镜的操作范围的方法。离子植入系统的静电透镜可从离子源接收离子束，静电透镜包括沿着离子束线的一侧设置的第一多个导电束光学器件及沿着离子束线的第二侧设置的第二多个导电束光学器件。离子植入系统还可包括与静电透镜连通的电源供应器，所述电源供应器可操作以向第一多个导电束光学器件及第二多个导电束光学器件中的至少一者供应电压及电流，其中电压及电流使离子束偏转束偏转角度，且其中离子束在静电透镜内被加速然后被减速。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 离子 植入 以及 使用 控制 离子束 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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