[发明专利]紧密后端工艺间距的梯形互连件在审
申请号: | 202080050904.9 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN114127912A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | N·A·兰兹罗;H·肖布哈;黄淮;王俊利;本山幸一;C·佩妮;L·克莱文格 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了用于形成梯形互连的技术。在一个方面,一种用于形成互连结构的方法包括:在电介质中图案化具有V形轮廓的沟槽,V形轮廓具有圆形底部;使用PVD将衬垫沉积到沟槽中,PVD打开沟槽以在沟槽中产生梯形轮廓;相对于所述电介质选择性地从所述沟槽去除所述衬垫,由此在去除之后,具有所述梯形轮廓的所述沟槽保留在所述电介质中;将共形阻挡层沉积到具有所述梯形轮廓的所述沟槽中并对所述沟槽加衬;在所述共形阻挡层上沉积导体并填充具有所述梯形轮廓的所述沟槽;以及将所述导体和所述共形阻挡层向下抛光至所述电介质。还提供了一种互连结构。 | ||
搜索关键词: | 紧密 后端 工艺 间距 梯形 互连 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造